Epitaxia selectiva y recrecimiento lateral de GaAs sobre sustratos HfO2/GaAs nanoestructurados: efecto del hidrógeno atómico como surfactante
Author
Benedicto Córdoba , MarcosAdvisor
Tejedor Jorge, PalomaEntity
Universidad Autónoma de Madrid. Facultad de Ciencias; Universidad Autónoma de Madrid. Departamento de Física AplicadaDate
2012Subjects
Nanostructuras - Tesis doctoralesNote
Tesis Doctoral inédita, leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física Aplicada. Fecha de lectura: 20-07-2012Files in this item
Google Scholar:Benedicto Córdoba , Marcos
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