Integración de óxidos electro-ópticos mediante ablación con láser
Author
Alfonso Orjuela, José EdgarAdvisor
Zaldo Luezas, Carlos E.Entity
UAM. Departamento de Física de MaterialesDate
1997-11-21Subjects
FísicaNote
Tesis doctoral inédita leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física de Materiales. Fecha de lectura: 21-11-1997Abstract
RESUMEN
Mediante la técnica de ablación con láser se han crecido Iáminas
delgadas de sillenitas, Bi12M020 (M= Ga, Ti, ZnP, CdP, NiP) sobre sustratos
calientes de (001)YSZ, (11O)BSO y (1OO)BGO. Durante el desarrollo del
estudio se han establecido los parámetros óptimos de crecimiento para
producir Iáminas con una alta calidad cristalina y alto grado de epitaxia. Se han
establecido las relaciones de epitaxia entre el plano (001) del YSZ y el (310)
de la sillenita. Las Iáminas obtenidas se comportan como guías de onda y
además son fotoconductoras. También se han crecido, por la misma técnica,
Iáminas de niobato de litio dopadas con neodimio. Se han establecido las
condiciones óptimas de depósito, se ha determinado el limite superior de
incorporación del Nd a la lámina y se ha caracterizado la fotolurniniscencia
infrarroja del Nd en la lámina. La fotolurniniscencia obtenida es similar a la
observada en los monocristales, si bien, en la lámina se observa un
ensanchamiento inhomogéneo en la emisión.
ABSTRACT
The pulsed laser deposition technique has been used to prepare thin
films of electro-optic sillenites with nominal formula Bi12M020(M =Ga, Ti, NiP,
ZnP and CdP). The films have been deposited on (001) ylrium stabilized
zirwnia, YSZ, and isomorphous sillenite substrates. The optima deposition
conditions and the epitaxial relationship between the sillenite and YSZ lattices
have been established. These sillenite films exhibit waveguiding properties and
photoconductivity. Lithium niobate doped with neodymium, LiNb03:Nd, films
have been deposited on r-cut sapphire. The Nd concentration in the film has
been determined. The upper limit of the Nd wncentration is due to the
nucleation of Lidefficient phases instead of LiNb03. The films show a
photoluminescence similar to that found in the bulk LiNbO3:Nd crystals, but an
inhomogeneus broadening is observed.
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