Cálculos AB-Initio de la estructura electrónica de defectos e impurezas en silicio
Author
Diaz Orueta, GabrielAdvisor
Martínez Gutiérrez, EmilioEntity
UAM. Departamento de Física de la Materia CondensadaDate
1988-10-14Subjects
Silicio - Defectos - Tesis doctorales; Estructura electrónica - Tesis doctorales; Semiconductores - Defectos - Tesis doctorales; FísicaNote
Tesis doctoral inédita leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física de la Materia Condensada. Fecha de lectura: 14-10-1988Files in this item
Google Scholar:Diaz Orueta, Gabriel
This item appears in the following Collection(s)
Related items
Showing items related by title, author, creator and subject.
-
Cálculos de estructura electrónica en defectos puntuales y extendidos en silicio cristalino
Artacho Cortés, Emilio
1990-07-09 -
Cálculos ab initio de propiedades electrónicas y estructurales de interfases con siluros y titanatos
Junquera Quintana, Javier
2001-09-10 -
Cálculos de estructura electrónica en sistemas nanométricos
Sánchez Portal, Daniel
1998-07-06