Integración de óxidos electro-ópticos mediante ablación con láser

Abstract

RESUMEN Mediante la técnica de ablación con láser se han crecido Iáminas delgadas de sillenitas, Bi12M020 (M= Ga, Ti, ZnP, CdP, NiP) sobre sustratos calientes de (001)YSZ, (11O)BSO y (1OO)BGO. Durante el desarrollo del estudio se han establecido los parámetros óptimos de crecimiento para producir Iáminas con una alta calidad cristalina y alto grado de epitaxia. Se han establecido las relaciones de epitaxia entre el plano (001) del YSZ y el (310) de la sillenita. Las Iáminas obtenidas se comportan como guías de onda y además son fotoconductoras. También se han crecido, por la misma técnica, Iáminas de niobato de litio dopadas con neodimio. Se han establecido las condiciones óptimas de depósito, se ha determinado el limite superior de incorporación del Nd a la lámina y se ha caracterizado la fotolurniniscencia infrarroja del Nd en la lámina. La fotolurniniscencia obtenida es similar a la observada en los monocristales, si bien, en la lámina se observa un ensanchamiento inhomogéneo en la emisión. ABSTRACT The pulsed laser deposition technique has been used to prepare thin films of electro-optic sillenites with nominal formula Bi12M020(M =Ga, Ti, NiP, ZnP and CdP). The films have been deposited on (001) ylrium stabilized zirwnia, YSZ, and isomorphous sillenite substrates. The optima deposition conditions and the epitaxial relationship between the sillenite and YSZ lattices have been established. These sillenite films exhibit waveguiding properties and photoconductivity. Lithium niobate doped with neodymium, LiNb03:Nd, films have been deposited on r-cut sapphire. The Nd concentration in the film has been determined. The upper limit of the Nd wncentration is due to the nucleation of Lidefficient phases instead of LiNb03. The films show a photoluminescence similar to that found in the bulk LiNbO3:Nd crystals, but an inhomogeneus broadening is observed.