Crecimiento por epitaxia de haces químicos (CBE) de GaAs1-xPx a partir de TBAs, TBP y TEGa
Author
Wildt, DanielAdvisor
García Carretero, Basilio JavierEntity
UAM. Departamento de Física AplicadaDate
1998-11-20Subjects
Epitaxia de haces moleculares - Semiconductores - Tesis doctorales; FísicaNote
Tesis doctoral inédita leida en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física Aplicada. Fecha de lectura: 20-11-1998Files in this item
Google Scholar:Wildt, Daniel
This item appears in the following Collection(s)
Related items
Showing items related by title, author, creator and subject.
-
Crecimiento de heteroestructuras de (GaIn)(AsPN) por epitaxia de haces químicos
Ghita, Daniel
2011 -
Desarrollo de aleaciones GaP1-x-yAsyNx por epitaxia de haces químicos para aplicaciones fotovoltaicas
Ben Saddik, Karim
2023-03-10