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Crecimiento y caracterización de GaSb puro y dopado obtenido mediante el método Bridgman

Autor (es)
Plaza Canga-Argüelles, José LuisAutoridad UAM
Director (es)
Diéguez, Ernesto
Entidad
UAM. Departamento de Física de la Materia Condensada
Fecha de edición
2000-12-11
Materias
Semiconductores - Tesis doctorales; Física
URI
http://hdl.handle.net/10486/674616
Nota
Tesis doctoral inédita leida en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Física de Materiales. Fecha de lectura: 11-12-2000
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Tamaño
7.762Mb
Formato
PDF
Descripción
Texto de la Tesis Doctoral

Google™ Scholar:Plaza Canga-Argüelles, José Luis

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