La litografía de oxidación local para la fabricación de dispositivos nanoelectrónicos
Autor (es)
Espinosa Barea, Francisco MiguelEntidad
UAM. Departamento de Física Teórica de la Materia Condensada; CSIC. Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM)Fecha de edición
2018-09-21Materias
Nanotecnología - Tesis doctorales; FísicaNota
Tesis Doctoral inédita leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento Física Teórica de la Materia Condensada. Fecha de lectura: 21-09-2018Esta tesis tiene embargado el acceso al texto completo hasta el 2020-03-21
Esta obra está bajo una licencia de Creative Commons Reconocimiento-NoComercial-SinObraDerivada 4.0 Internacional.
Resumen
La tesis está dividida en cinco capítulos y las conclusiones generales:
En el capítulo 1 se realiza una introducción al AFM donde se describen los
componentes, parámetros y modos de operación. Además, se describen los
diferentes métodos de litografía mediante sonda local. Y, por último, se
introduce los fundamentos de la nanolitografía de oxidación local (o-SPL).
En el capítulo 2 se describen los componentes principales para llevar a
cabo la oxidación local. Para ello, se utilizan diferentes condiciones
ambientales para optimizar el tamaño de los óxidos fabricados incluyendo
ozono en el medio y se caracteriza mediante AFM. Se realiza la
transferencia de los patrones fabricados mediante grabado por iones
reactivos. Por último, se demuestra la oxidación en materiales
bidimensionales y en estructuras metal-orgánicas.
El capítulo 3 se detalla la optimización realizada en el proceso de
nanofabricación de oxidación local en paralelo para obtener una mayor
área de patrones sobre la muestra y con menor resolución lateral. Además,
se realiza la transferencia de los patrones fabricados mediante grabado por
iones reactivos. Para dicho proceso, se utiliza películas delgadas de
polímeros.
En el capítulo 4 se describe el proceso de fabricación de transistores
mediante oxidación local basados en nanohilos de silicio con un grosor de
12 nm y la fabricación de transistores basados en nanohilos de silicio
suspendido. Se realiza la caracterización de las propiedades eléctricas de
ambas configuraciones. Para la fabricación de nanohilos de silicio
suspendidos se ha estudiado la implantación de iones mediante un haz de
electrones focalizado (FIB) para la fabricación de los electrodos mediante
el grabado por iones radioactivos (RIE). Por otro lado, se ha reducido el
canal de un transistor de efecto campo de disulfuro de molibdeno mediante
oxidación local.
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8.057Mb
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Descripción
Texto de la Tesis Doctoral
Google Scholar:Espinosa Barea, Francisco Miguel
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